El carbur de silici (SiC) és un material bàsic de semiconductors compostos de tercera generació. Amb propietats físiques com ara un camp elèctric d'alta ruptura, una alta conductivitat tèrmica i un ampli marge de banda, trenca el sostre de rendiment dels dispositius d'alimentació tradicionals basats en silici i és un component bàsic per a escenaris d'alta tensió i alta potència, com ara vehicles d'energia nova, fonts d'alimentació de computació AI, emmagatzematge d'energia fotovoltaica i trànsit ferroviari. El 2025, la indústria va experimentar un excés de capacitat i una neteja profunda a través de guerres de preus. A partir del quart trimestre del 2025, la indústria marca un punt d'inflexió estructural. Els substrats i dispositius d'alta qualitat de qualitat per a automoció i IA entren en un cicle d'escassetat, mentre que el subministrament de productes d'ús general de gamma baixa continua fluix, mostrant una diferenciació estructural òbvia a la indústria. El mercat global manté una alta taxa de creixement composta a llarg termini, amb els vehicles d'energia nova com a base fonamental i la infraestructura informàtica d'IA esdevenint la segona corba de creixement. La cadena industrial domèstica ha aconseguit grans avenços en el segment de substrats, liderant a nivell mundial en quota de mercat de substrats de 8 polzades, mentre que els segments d'epitaxia, dispositius i mòduls continuen avançant en la substitució domèstica. Tanmateix, la certificació, el rendiment, el cost i les barreres de patents de grau d'automoció segueixen sent les principals mancances.
I. Visió general de la indústria: principis bàsics del carbur de silici (SiC) i l'estructura de la cadena industrial
1.1 Propietats del material i valor d'aplicació del carbur de silici
El carbur de silici (SiC) és un material semiconductor compost compost de silici i carboni, pertanyent a semiconductors de banda ampla de tercera generació. En comparació amb els materials tradicionals de silici (Si), té tres avantatges bàsics: la força del camp elèctric de descomposició és aproximadament 3 vegades la del silici, suportant nivells de tensió més alts; la conductivitat tèrmica és aproximadament 3 vegades la del silici, millorant significativament la capacitat de dissipació de calor; i les pèrdues de commutació són més baixes amb una resistència a alta temperatura més forta. En escenaris de conversió d'energia d'alta tensió i alta potència, els dispositius d'alimentació SiC poden reduir les pèrdues del sistema, reduir la dissipació de calor i el volum i millorar l'eficiència de conversió d'energia, convertint-los en el material subjacent per a la transició energètica i la infraestructura informàtica.
Els IGBT tradicionals basats en silici (transistors bipolars de porta aïllada) tenen deficiències destacades en pèrdues i dissipació de calor en plataformes d'alta tensió de 800 V i superiors, mentre que els MOSFET SiC (transistors d'efecte de camp de carbur de silici, òxid metàl·lic i semiconductor) s'adapten naturalment a la plataforma d'alta tensió de 800 V. plataformes. A més dels dispositius d'alimentació, el SiC també es pot utilitzar en direccions emergents, com ara dispositius de RF i substrats avançats de dissipació de calor d'envasos, obrint un major espai de mercat.
1.2 Estructura de la cadena industrial
La cadena industrial de SiC es divideix en tres grans segments: substrats aigües amunt i epitaxia; fabricació de xips, dispositius i mòduls d'alimentació midstream; i aplicacions aigües avall. Els substrats són el segment amb el valor més alt i les barreres tècniques més fortes de tota la cadena industrial, representant aproximadament el 47% del cost total del dispositiu, i són el focus central de la competència de la indústria.
1. Aigües amunt: Substrats + Epitaxia
Substrats SiC: es divideixen en tipus conductor (dispositius d'alimentació, vehicles d'energia nova, emmagatzematge d'energia, fonts d'alimentació AI) i tipus semi-aïllant (dispositius RF). La mida principal és de 6 polzades, la indústria està iterant cap a 8 polzades i 12 polzades ha entrat a l'etapa de verificació de la mostra. Les mides més grans són el camí principal per a la reducció de costos. L'àrea dels substrats de 8 polzades és un 78% més gran que els substrats de 6 polzades, el nombre de troquelats per hòstia augmenta aproximadament entre 1,8 i 2 vegades, la pèrdua de vora es redueix i el cost per hòstia disminueix aproximadament un 35%. Les dificultats bàsiques en la preparació del substrat es troben en el rendiment del creixement del cristall, el control de defectes i l'escala de mida. Els forns de creixement de cristall, els equips de tall, mòlta i poliment són despeses de capital bàsiques.
Hòsties epitaxials: les capes epitaxials es cultiven sobre substrats mitjançant equips MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). El rendiment del dispositiu està determinat per la qualitat de la capa epitaxial, i aquest és un enllaç clau que connecta els substrats i la fabricació de xips.
2. Midstream: fabricació de xips, dispositius, mòduls de potència
A les hòsties epitaxials de SiC, es completen processos de semiconductors com la litografia, el gravat i la implantació d'ions per preparar xips com MOSFET i SBD (Díodes de barrera Schottky); A continuació, s'empaqueten en mòduls d'alimentació i es subministren directament als fabricants finals posteriors. Les empreses IDM (Fabricant de dispositius integrats) a l'estranger (STMicroelectronics, Infineon, Wolfspeed) cobreixen majoritàriament tota la cadena des del substrat fins a l'epitaxia, passant pels dispositius fins als mòduls; Les empreses nacionals adopten més sovint un model de divisió del treball, amb empreses de substrat, plantes d'epitaxi i empreses de disseny i embalatge de dispositius que es desenvolupen de manera independent, mentre que algunes empreses s'estenen cap amunt cap amunt.
3. Aplicacions avall
Els vehicles de nova energia són la via principal (inversor principal, OBC a bord, DC-DC, piles de càrrega a bord); seguits dels inversors fotovoltaics, convertidors d'emmagatzematge d'energia, fonts d'alimentació industrials, fonts d'alimentació d'alta tensió de servidors d'IA, trànsit ferroviari, xarxes d'alta tensió i infraestructura de càrrega ràpida; la direcció fronterera és l'envasament avançat de substrats de dissipació de calor per a xips informàtics d'IA.
II. Estat de la indústria de SiC global i nacional
2.1 Visió general de la mida i el creixement del mercat
El mercat global de dispositius d'alimentació SiC continua creixent ràpidament. El 2025, la mida del mercat global de dispositius d'energia SiC és d'aproximadament 40.691 milions de RMB. Les institucions prediuen una taxa de creixement composta del 20,5% del 2026 al 2032, amb la mida del mercat que arribarà als 147.968 milions de RMB el 2032. Open Source Securities prediu que la mida del mercat global de SiC arribarà als 12.400 milions de dòlars el 2030, amb la infraestructura d'IA contribuint a gairebé la meitat de l'estructura nova del creixement del passat, que depenia gairebé la meitat de l'estructura nova del creixement del vehicle.
Des de la perspectiva de l'estructura de la demanda, els vehicles d'energia nova representen actualment aproximadament el 61% dels ingressos dels dispositius SiC i són el mercat d'aplicacions més gran. L'augment de la penetració dels models de plataforma d'alta tensió de 800 V impulsa directament el contingut de SiC per vehicle; Les fonts d'alimentació del servidor d'IA i la càrrega d'emmagatzematge fotovoltaic són la segona corba de creixement. En el passat, el mercat generalment definia el SiC com un material per a la via de vehicles de nova energia. La lògica actual de la indústria s'ha actualitzat al model de tres controladors de "vehicles d'energia nova + potència de càlcul d'IA + emmagatzematge d'energia nou".
2.2 Patró oferta-demanda: compensació profunda el 2025, escassetat estructural el 2026
Del 2021 al 2024, grans quantitats de capital nacional es van abocar a la pista de SiC i es van llançar un gran nombre de projectes de substrat de 6 polzades de manera concentrada. La capacitat de la indústria es va expandir ràpidament. Combinada amb la demanda periòdica que no arribava a les expectatives de la indústria dels vehicles d'energia nova el 2025, la indústria va entrar en guerres de preus ferotges. Els preus dels substrats de gamma baixa i dels dispositius d'ús general van caure bruscament, molts fabricants petits i mitjans van patir pèrdues i la indústria va entrar en un cicle de compensació de capacitat. La utilització de la capacitat de gamma baixa va disminuir significativament i alguns fabricants van sortir del mercat.
A partir del quart trimestre del 2025, el patró d'oferta i demanda es va invertir, però no es tractava d'una escassetat de subministrament global, sinó d'una escassetat estructural: (1) El subministrament de substrats conductors d'alta qualitat, epitàxia i mòduls MOSFET de qualitat d'automoció i AI és ajustat. La utilització de la capacitat dels principals fabricants de substrats s'ha recuperat per sobre del 90%, els preus dels substrats de 6 polzades han tocat fons i han repuntat i els preus dels substrats de 8 polzades han deixat de baixar i han augmentat; Els fabricants d'IDM a l'estranger Infineon i STMicroelectronics, així com empreses nacionals com Yangjie Technology, han augmentat successivament les cotitzacions de dispositius. Els terminis de lliurament dels dispositius SiC per a fonts d'alimentació de servidors d'IA s'han allargat fins a unes 30 setmanes, amb un augment dels preus superior al 15% en comparació amb finals de 2025. (2) El subministrament de substrats de gamma baixa amb indicadors de defectes baixos que no poden passar la certificació de grau d'automoció i els dispositius d'especificació d'ús general industrial continua sent en excés, i els preus continuen sota pressió.
El resultat principal d'aquesta ronda de remodelació de la indústria: la competència de la indústria ha passat de competir simplement a escala de capacitat a una competència de capacitat integral en rendiment, control de defectes, certificació de grau d'automoció, lliurament estable i control de costos. La concentració de la indústria continua augmentant i les empreses líders es beneficien.
2.3 Paisatge competitiu global
Els gegants tradicionals d'ultramar tenen avantatges de primer moviment i adopten principalment el model IDM: Wolfspeed (Estats Units, abans Cree), ROHM (Japó), STMicroelectronics (ST), Infineon (Infineon) i onsemi. Els fabricants estrangers tenen una acumulació profunda de patents de substrat, certificació de clients de qualitat d'automoció, processos de dispositius i embalatge de mòduls, i han ocupat durant molt de temps la part principal del mercat global de dispositius d'energia.
Les empreses nacionals han aconseguit grans avenços en el segment del substrat. El 2025, les empreses nacionals van assolir el lideratge global en el camp dels substrats conductors. La quota de mercat global de Tianyue Advanced de substrats SiC de 8 polzades va superar el 50% i la seva quota global de substrats conductors de 6 polzades va ocupar el primer lloc. Tianyue Advanced i Tianke Heda tenen conjuntament una quota de mercat de substrats conductors superior a la de Wolfspeed. El subministrament de substrat de SiC de la Xina representa aproximadament el 50% del total mundial i ha entrat al primer nivell mundial. Els segments domèstics d'epitaxia, dispositius i mòduls encara es troben en fase de recuperació. Els fabricants de dispositius nacionals encara es queden per darrere dels líders estrangers en certificació de qualitat d'automoció, fiabilitat i capacitat de lliurament de lots estable. Els cinc principals fabricants del mercat de dispositius elèctrics nacionals ocupen conjuntament el 70,4% de quota de mercat, i els tres principals són empreses estrangeres, mentre que els fabricants nacionals encara tenen una quota de mercat relativament baixa.
Empreses representatives de cada segment de la cadena industrial nacional: (1) Substrats: Tianyue Advanced, Tianke Heda, Luxshare Technology; (2) Epitàxia: Tianyue Advanced, San'an Optoelectronics, Changfei Advanced; (3) Dispositius/mòduls: StarPower Semiconductor, Times Electric, Silan Microelectronics, Yangjie Technology, Basic Semiconductor; (4) Equips aigües amunt: Jingsheng Mechanical & Electrical (forns de creixement de cristalls), Jingsheng Equipment, AMEC (equips d'epitaxi MOCVD).
2.4 Entorn de política interna
Com a pista clau de semiconductors de tercera generació i noves forces productives de qualitat, el carbur de silici pertany a la direcció estratègica de l'autonomia i controlabilitat dels semiconductors domèstics. El "14è Pla quinquennal" nacional i el "15è Pla quinquennal" continuen donant suport a la industrialització de materials i dispositius semiconductors de tercera generació, i moltes localitats han establert fons industrials especials per oferir subvencions per a la construcció de línies de producció, inversió en R+D i projectes d'industrialització. Al mateix temps, les polítiques industrials domèstiques per als vehicles d'energia nova, l'emmagatzematge d'energia fotovoltaica i la infraestructura informàtica impulsen indirectament la demanda de SiC aigües avall. Els dividends de les polítiques acceleren la verificació i la introducció de les cadenes de subministrament nacionals, però els subsidis de la indústria passen gradualment de les subvencions a la capacitat a indicadors d'alta qualitat com ara la R+D, la millora del rendiment i la certificació d'automoció.
III. Anàlisi de la demanda aigües avall: tres grans vies de conducció, lògica de creixement reestructurada
3.1 Vehicles d'energia nova: base fonamental de la indústria, les plataformes de 800 V augmenten el valor per vehicle
Els vehicles d'energia nova segueixen sent la principal font de demanda de SiC. Les plataformes tradicionals de 400 V estan dominades per IGBT basats en silici; Les plataformes d'alta tensió de 800 V tenen avantatges com ara la càrrega ràpida, la reducció de pes i un rang millorat, i els MOSFET SiC s'han convertit en la solució principal. Els dispositius SiC s'utilitzen en components com l'inversor principal, l'OBC a bord, DC-DC i el carregador a bord, i el valor de SiC per vehicle és significativament superior al de les solucions basades en silici de 400 V.
Els fabricants mundials d'automòbils com Tesla, BYD, NIO, XPeng, Volkswagen i Mercedes-Benz continuen introduint solucions SiC en models de gamma alta. A mesura que els models de plataforma de 800 V s'enfonsen als models de gamma mitjana, la penetració de SiC continuarà augmentant. A curt termini, la indústria dels vehicles d'energia nova s'enfronta a la pressió de la fluctuació de les vendes, però la tendència d'electrificació a mitjà i llarg termini és certa. La creixent penetració de les plataformes de 800 V és una línia principal de 确定性 que impulsa contínuament la demanda de dispositius SiC.
3.2 Fonts d'alimentació del centre de dades d'IA: segona corba de creixement, remodelant el sostre de la indústria
Els clústers informàtics de grans models d'IA requereixen fonts d'alimentació massives del servidor i l'actualització de les arquitectures de fonts d'alimentació d'alta tensió del servidor d'IA crea una demanda substancial de SiC. Les fonts d'alimentació dels servidors tradicionals estan dominades per dispositius basats en silici. Les fonts d'alimentació d'alta potència i d'alta densitat d'IA imposen requisits més alts sobre pèrdues, dissipació de calor i densitat de potència. Els dispositius SiC poden reduir significativament les pèrdues d'alimentació, reduir el volum de la font d'alimentació i reduir la pressió de dissipació de calor. Open Source Securities prediu que l'any 2030, la infraestructura d'IA aportarà gairebé la meitat de la demanda del mercat de SiC, convertint-se en la font incremental més important del sector.
Direcció frontera: SiC com a substrat d'alta conductivitat tèrmica per a l'envasament avançat CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate), utilitzat per a la dissipació de calor de HBM (High Bandwidth Memory) que suporta xips informàtics. Si es realitza la industrialització, el SiC s'estendrà des d'un material de dispositiu de potència a un material funcional per a envasos avançats, augmentant molt el valor per xip i obrint un espai de mercat completament nou. Tanmateix, aquesta direcció encara es troba en l'etapa de verificació de la mostra del client i la industrialització comporta incertesa.
3.3 Emmagatzematge d'energia fotovoltaica, indústria i trànsit ferroviari: increment estable
Les instal·lacions mundials fotovoltaiques i d'emmagatzematge d'energia continuen creixent. Els inversors centralitzats, els inversors de cadena i els PCS d'emmagatzematge d'energia estan iterant gradualment des de solucions basades en silici fins a solucions de SiC, millorant la densitat de potència de l'inversor i l'eficiència de conversió. Els motors industrials, les fonts d'alimentació d'alta tensió, el trànsit ferroviari i la transmissió de xarxa d'alta tensió són demandes estables a mitjà i llarg termini caracteritzades per cicles de certificació llargs, comandes estables i cicles de vida llargs, amb requisits extremadament alts de fiabilitat del dispositiu.
IV. Camí d'iteració tecnològica i previsió de desenvolupament a mitjà i llarg termini
4.1 Curt termini (2026-2028): implementació a gran escala de 8 polzades, millora de rendiment + reducció de costos, certificació accelerada de grau d'automoció
En els propers 2-3 anys, la línia principal de la indústria principal serà l'optimització de la capacitat de 6 polzades i l'augment a gran escala de les línies de producció de substrats, epitàxia i dispositius de 8 polzades. 8 polzades és la mida principal de la indústria durant els propers 3-5 anys. Els principals fabricants nacionals de substrats continuaran ampliant les línies de producció de 8 polzades per reduir el cost per hòstia.
La contradicció bàsica de la indústria ha passat de "si hi ha capacitat" a "produir millores, control de defectes i aterratge de les designacions de clients de qualitat d'automoció". Un gran nombre d'empreses de dispositius domèstics estan accelerant la certificació de qualitat d'automòbil AEC-Q100 per als fabricants d'automòbils, l'emmagatzematge d'energia i els clients de subministrament d'energia d'IA. A mesura que el rendiment continua millorant, els costos unitaris dels dispositius de SiC continuen disminuint, impulsant la penetració de SiC des de models de gamma alta fins a models de gamma mitjana i des de fonts d'alimentació de gamma alta fins a fonts d'alimentació industrials generals.
Càrrec de l'oferta: després de la compensació de la capacitat el 2025, el ritme d'expansió de la nova capacitat es desaccelera i el ritme d'alliberament de la nova capacitat és inferior al creixement de la demanda. Els productes d'alta qualitat d'automoció mantenen un patró ajustat i la indústria entra en un cicle de volum i preus creixents; Els substrats de gamma baixa i els dispositius d'ús general continuen enfrontant-se a la competència, i els fabricants petits i mitjans que no tenen rendiment i certificació del client continuen sent eliminats, augmentant encara més la concentració de la indústria.
4.2 Mitjà termini (2029-2032): 8 polzades es converteixen en el corrent principal absolut, s'inicia la industrialització de 12 polzades, la substitució domèstica entra a la zona d'aigües profundes
Els rendiments de les línies de producció de 8 polzades continuen optimitzant-se, els costos disminueixen significativament i la penetració de SiC en vehicles d'energia nova, emmagatzematge d'energia i fonts d'alimentació d'IA augmenta substancialment. El segment de substrat nacional manté la competitivitat global; La substitució domèstica en els segments d'epitaxi, dispositiu i mòdul s'accelera i els fabricants nacionals d'IDM entren gradualment a les cadenes de subministrament dels principals fabricants d'automòbils i fabricants de fonts d'alimentació informàtica a l'estranger.
Els substrats de SiC de 12 polzades entren a l'etapa de verificació d'industrialització. Empreses com Tianyue Advanced ja han enviat mostres de productes de 12 polzades, orientats a substrats avançats de dissipació de calor d'envasos i escenaris de dispositius d'alta potència. 12 polzades dilueixen encara més el cost per hòstia, però la inversió en equips i la dificultat del procés són més grans i el ritme d'industrialització és més lent que el de 8 polzades.
El mercat global s'expandeix ràpidament i la quota de contribució incremental de les fonts d'alimentació informàtica d'IA continua augmentant. El creixement del mercat de SiC ja no depèn completament de les fluctuacions del cicle dels vehicles d'energia nova i diversos escenaris aigües avall cobreixen el risc del cicle d'una sola indústria.
4.3 Llarg termini (després del 2032): la tecnologia madura, els costos cauen bruscament, entrant a l'etapa de popularització a gran escala
Els costos dels dispositius de SiC continuen disminuint, substituint gradualment els dispositius d'alimentació basats en silici en escenaris més de mitjana i baixa tensió, amb escenaris d'aplicació que s'expandeixen a electrodomèstics i fonts d'alimentació dels consumidors. 12-Sustrats de SiC de polzades aconsegueixen una producció massiva a gran escala. El panorama de la cadena industrial global tendeix a l'estabilitat i la Xina forma un ecosistema industrial SiC complet i controlable de manera autònoma amb competitivitat global a tota la cadena, des de substrats, equips, epitàxia i xips fins a mòduls. Al mateix temps, existeix competència potencial en les rutes tecnològiques. Els materials de banda ampla de nova generació com l'òxid de gal·li (Ga₂O₃) suposen amenaces potencials de substitució en escenaris específics d'alta tensió, però a mitjà i llarg termini és poc probable que anulin la posició principal del SiC en els semiconductors de potència.
V. Lògica d'inversió i selecció de pistes (perspectiva de la indústria/inversió en capital)
La via SiC és una via de verificació de cicle llarg, intensiva en capital, en tecnologia i de cicle llarg. La inversió no pot mirar simplement l'escala de capacitat; el nucli es troba en el rendiment, els indicadors de defecte, la certificació del client, el flux de caixa i la corba de costos. Després de la remodelació de la indústria del 2025, la lògica d'inversió ha passat d'"ampliació de capacitat" a "barreres tècniques + barreres de clients".
5.1 Anàlisi de prioritat d'inversió per segment de cadena industrial
1. Segment de substrats aigües amunt: prioritzeu les empreses de substrats conductors d'alt rendiment d'automoció
Els substrats són el segment amb més valor i barreres més fortes de tota la cadena industrial, i l'únic segment en què la Xina ha aconseguit el lideratge mundial. Indicadors d'inversió bàsics: rendiment del substrat conductor, densitat de defectes de microtubes, capacitat de producció massiva de 8 polzades, certificació del client i capacitat d'equips de creixement de cristalls interns. Les empreses de substrat que només poden produir productes indicadors de defectes baixos i que no poden entrar a les cadenes de subministrament de qualitat d'automoció tenen una rendibilitat a llarg termini feble i són objectius d'alt risc. Els equips de creixement, tall, mòlta i poliment de cristalls aigües amunt ofereixen oportunitats de substitució domèstica i els fabricants d'equips es beneficien de l'expansió contínua de les línies de producció de substrats domèstics.
2. Segment d'epitaxi: centreu-vos en les empreses d'epitaxi amb un subministrament de lots estable i compatibilitat amb MOSFET d'automoció
La qualitat de l'epitaxia determina directament la fiabilitat del dispositiu, i l'epitaxia de qualitat d'automòbil té barreres tècniques elevades. Les plantes d'epitaxi necessiten una col·laboració profunda amb plantes de substrat i plantes de dispositius. Les empreses amb gruix de capa epitaxial estable i capacitats de control de dopatge tenen un valor a llarg termini.
3. Dispositius de corrent intermedi i mòduls de potència: centrar-se en les designacions de qualitat d'automoció, la verificació de la fiabilitat i les capacitats d'embalatge
El segment de dispositius té el fossat més profund per als gegants estrangers, amb cicles de certificació llargs (la certificació del fabricant d'automòbils sol trigar entre 2 i 3 anys). La inversió hauria de prioritzar les empreses que ja hagin obtingut designacions dels principals fabricants d'automòbils, clients de subministrament d'energia d'IA i emmagatzematge d'energia i que tinguin la certificació AEC-Q100; L'embalatge del mòdul de potència és un punt feble domèstic, i els processos d'embalatge d'alta fiabilitat i les tecnologies d'envasament avançades com la sinterització de plata ofereixen oportunitats d'inversió. Les empreses fabuloses amb un disseny pur i sense línies de producció patentades s'enfronten als riscos del subministrament de substrats i les fluctuacions del procés.
4. Final de l'aplicació aigües avall: centreu-vos en empreses de font d'alimentació i control electrònic amb capacitats de disseny de sistemes de solucions SiC
El valor dels fabricants de sistemes no només està en la compra de dispositius, sinó també en la possessió de capacitats d'aplicació del sistema, dissipació de calor i algorisme de control per als dispositius SiC, que poden maximitzar els avantatges d'eficiència de SiC. Doneu prioritat a les empreses líders en control electrònic de 800 V, fonts d'alimentació del servidor d'IA i PCS d'emmagatzematge d'energia.
5.2 Estratègies d'inversió
Inversió de capital principal: prioritzeu el disseny en segments d'alta barrera, com ara substrats, equips aigües amunt, epitàxia de grau d'automoció i mòduls de potència; evitar projectes de substrat de gamma baixa que només depenen de preus baixos i rendiments baixos. Prioritzeu les empreses que hagin completat el lliurament de mostres i la verificació de la designació amb els principals clients i que hagin mantingut una inversió en R+D; Aneu amb compte amb els projectes que encara no han entrat a la verificació del client i només queden en l'etapa de mostra.
Inversió industrial: Apte per a la integració vertical de la cadena industrial. Els fabricants d'automòbils, les empreses d'emmagatzematge d'energia i les empreses de subministrament d'energia informàtica poden bloquejar la capacitat del substrat i l'epitaxia aigües amunt per garantir la seguretat de la cadena de subministrament i protegir-se dels riscos d'interrupció de la cadena de subministrament a l'estranger.
Enfocament de la valoració: la indústria es troba en un cicle d'expansió i, en general, les empreses tenen grans despeses de capital inicials i una rendibilitat endarrerida. La valoració de PE no es pot utilitzar de manera simplista; centrar-se en el seguiment del progrés de l'augment del rendiment, el cost unitari de les hòsties, les comandes de designació de clients, la utilització de la capacitat i el flux de caixa.
VI. Advertències de risc de la indústria bàsica
6.1 Risc que la demanda aigües avall no compleixi les expectatives
Si les vendes de vehicles d'energia nova i la penetració del model de 800 V cauen per sota de les expectatives, la demanda de SiC es veurà arrossegada directament a la baixa; si la despesa de capital del servidor d'IA es contrau temporalment, el creixement de la demanda de subministrament d'energia d'AI es reduirà. La demanda de la indústria de SiC està profundament lligada a les dues principals indústries cícliques de la nova energia i la potència informàtica, amb una gran despesa de capital, i hi ha risc de fluctuació cíclica.
6.2 Tecnologia i risc de rendiment
Els processos de creixement i epitaxia de cristalls de SiC són difícils. El progrés de la millora del rendiment que no compleix les expectatives continuarà augmentant els costos; la dificultat d'augment de les línies de producció de 8 i 12 polzades de mida gran pot ser més alta del que s'esperava; Els avenços tecnològics en altres materials de banda ampla com l'òxid de gal·li poden crear risc de substitució.
6.3 Risc de competència en preus i deteriorament dels beneficis
Tot i que els productes de qualitat d'automoció estan actualment en escassetat estructural, si un gran nombre de substrats de 8 polzades es posen en producció de manera concentrada en els propers 2-3 anys, la indústria pot tornar a entrar en un excés d'oferta, provocant una nova ronda de guerres de preus, comprimint els marges bruts de les empreses i fent que moltes empreses continuïn amb pèrdues. La despesa de capital de la indústria és enorme i la pressió de la depreciació és alta; fins i tot amb el creixement dels ingressos, les empreses encara poden continuar amb pèrdues durant molt de temps.
6.4 Risc de patents i comerç internacional
Els líders estrangers tenen un gran nombre de patents bàsiques per a substrats i dispositius SiC, i les empreses nacionals s'enfronten al risc de litigi de patents; Els controls d'exportació de semiconductors i les barreres comercials a l'estranger afecten l'expansió de les empreses nacionals cap a clients estrangers i les importacions d'equips i materials.
6.5 Risc de certificació
Els cicles de certificació per a dispositius d'automoció i de qualitat industrial són llargs. Després d'invertir fons substancials en R+D, el fracàs en la certificació del client o les designacions retardades afectaran directament la comercialització del projecte.
VII. Conclusió
Com a pista bàsica de semiconductors compostos de tercera generació, el carbur de silici (SiC) ha experimentat una eliminació brutal de la capacitat l'any 2025 i ha marcat un punt d'inflexió de prosperitat estructural. La lògica de creixement s'ha actualitzat d'un únic vehicle d'energia nova a una ressonància multipista de vehicles d'energia nova + fonts d'alimentació de computació d'IA + emmagatzematge d'energia fotovoltaica. A curt termini, la indústria mostra una diferenciació estructural entre l'oferta i la demanda: els productes d'automoció d'alta qualitat tenen escassetat, mentre que els productes de gamma baixa continuen patint una intensa competència; a mitjà i llarg termini, la reducció de costos a gran escala de 8 polzades i la substitució domèstica són les línies principals, i les fonts d'alimentació de computació AI obren el sostre de creixement a llarg termini de la indústria.
La cadena industrial de la Xina ha aconseguit avenços globals en el segment de substrats, mentre que els segments d'epitaxia, dispositius i mòduls continuen posant-se al dia, però la certificació, el rendiment, el cost i les patents de grau d'automoció segueixen sent les principals mancances. A nivell d'inversió, l'espai de creixement a llarg termini de la pista és segur, però la indústria és una via de cicle de verificació llarga i de gran despesa de capital i no és adequada per simplement perseguir conceptes de capacitat. Criteris bàsics per a la selecció d'objectius d'inversió: alt rendiment, indicadors baixos de defecte, designacions de clients líders, implementació de certificació de grau d'automoció i una corba de costos controlable. Prioritzeu el disseny en segments d'alta barrera, com ara substrats aigües amunt, equips de creixement de cristalls, epitàxia d'automoció i mòduls de potència, i eviteu projectes sense clients bàsics, amb baix rendiment i depenent únicament de l'escala de capacitat. Al mateix temps, cal fer un seguiment continuat de variables clau com ara les vendes de vehicles d'energia nova, la despesa de capital d'IA, l'augment del rendiment de 8 polzades i les polítiques comercials i de patents a l'estranger per evitar les fluctuacions cícliques i els riscos d'industrialització que no compleixin les expectatives.